MOSFET的研究報告顯示， MOSFET在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域占有40%的份額。除了 IGBT、 SiC、 GaN等大熱能器件外，MOSFET也是我們不可忽視的領(lǐng)域，為什么 MOSFET在功率半導(dǎo)體器件中占有40%的份額？

       MOSFET大約在1980年前后出現(xiàn)，是一種場效應(yīng)晶體管，可廣泛應(yīng)用于模擬電路和數(shù)字電路中，將輸入電壓的變化轉(zhuǎn)換成輸出電流的變化，如開關(guān)、放大等。90年代前后， MOSFET逐步研制成功。2008年，英飛凌推出了柵格電源 MOSFET。目前市場有平面型、屏蔽柵溝槽、超結(jié)和槽型四類主流MOSFET。

       MOSFET是功率半導(dǎo)體的一種，在日常生活中，任何涉及到發(fā)電、輸電、變電、配電、電力、儲存等環(huán)節(jié)，都離不開功率半導(dǎo)體。電力半導(dǎo)體器件是不可替代的基礎(chǔ)產(chǎn)品，在國民經(jīng)濟建設(shè)的各個領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。當(dāng)然功率半導(dǎo)體除MOSFET以外，還有功率器件和功率IC兩種。

       從這三種晶體管的市場競爭格局來看，三極管市場相對分散，價格較低，但對價格敏感性和感性負載驅(qū)動的應(yīng)用還存在一定的需求，但由于三極管功耗較大等問題，在全球節(jié)能的大環(huán)境下，三極管的市場規(guī)模正逐漸走向衰退。因此 MOSFET與 IGBT的市場集中度較高。

       那為什么 MOSFET會有這么大的市場份額呢？第一， MOSFET器件是電壓控制型器件，即根據(jù)電壓控制電流的大小，在應(yīng)用中易于控制；第二， MOSFET工作頻率較高，與 IGBT及三極管器件相比， MOSFET器件更符合高頻化發(fā)展的要求；最后， MOSFET是單一載流子導(dǎo)電，并且 IGBT和三極管都是多子導(dǎo)電，因此不存在載流子復(fù)合效應(yīng)，就沒有電流拖尾等現(xiàn)象發(fā)生，效果更好。

       綜上所述，小編發(fā)現(xiàn)MOSFET因為應(yīng)用、功能、應(yīng)用場景等特點而受到市場喜愛，我想這大概就是能占半導(dǎo)體40%的原因吧，想要了解更多MOSFET、二三極管等半導(dǎo)體的應(yīng)用、選型知識介紹，可做收藏點擊咨詢服務(wù)詳詢，為您帶來更多的電子元器件行業(yè)資訊。