前面小編有對(duì)mos管的一些簡(jiǎn)單介紹,但都不夠全面,這不前幾天就有人跟小編說對(duì)mos管驅(qū)動(dòng)電路一直半解,要我來談?wù)刴os管驅(qū)動(dòng),那我們今天就來聊聊當(dāng)用mos管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)的一些問題,其實(shí)我在設(shè)計(jì)它們的驅(qū)動(dòng)電路是,往往只考慮 MOS的導(dǎo)通電阻、最大電壓等,而許多人只考慮這一點(diǎn)。其實(shí)這類電路可能會(huì)起作用,但用起來不是很好,不能作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)使用。
首先我們要談?wù)?Mos管的導(dǎo)通特性。導(dǎo)通的意思就是疏通的意思,它就像一個(gè)開關(guān),等于開關(guān)閉合。NMOS導(dǎo)通特性, Vgs要比某值高,只要柵壓達(dá)到4 V或10 V,就可以適用于源極接地,PMOS的特性,只要 Vgs比某值低就會(huì)導(dǎo)通,適用于源極接 VCC的情況。但是,雖然 PMOS是一種非常方便的高端驅(qū)動(dòng),但是,普遍采用的是 NMOS,因?yàn)閷?dǎo)通電阻大,價(jià)格昂貴,更換品種少。
而不管是 NMOS或是 PMOS ,導(dǎo)通 后都普遍存在 1個(gè) 導(dǎo)通 電阻 ,因而 電流 在這個(gè)電阻 上耗費(fèi) 的能量 都被稱為導(dǎo)通損耗。目前有一些幾豪歐幾十歐的導(dǎo)通電阻的mos管,我們可以選用這種mos管來減少流量損失。
MOS在引導(dǎo)和截止時(shí),肯定不會(huì)在瞬間完成。mos管端電壓呈遞減過程,流過電流呈遞增過程,在此期間 mos管的損耗為電壓和電流的乘積,稱為開關(guān)損耗。一般情況下,開關(guān)損耗遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損失,開關(guān)頻率越高,損耗越大。瞬時(shí)電壓和電流的乘積越大,那么損失也會(huì)很大。我們可以用縮短開關(guān)時(shí)間和減少開關(guān)頻率這兩種方法來減少開關(guān)損失。與雙極性晶體管相比,通常認(rèn)為 MOS管導(dǎo)通無需電流,只要 GS電壓高于某一數(shù)值,即可。這做起來簡(jiǎn)單,但也需要速度。
由 MOS管結(jié)構(gòu)可知,在 GS與 GD之間存在寄生電容, mos管的驅(qū)動(dòng)實(shí)際上就是向電容充放電。電容器的充電需要電流,因?yàn)樵谒查g充電電容會(huì)將電容看作是短路,所以瞬間電流會(huì)比較大。
其次,一般在高端驅(qū)動(dòng)N型mos上用,導(dǎo)通性需要源極電壓。而且極MOS電壓導(dǎo)通源與漏極VCC相同,所以這個(gè)時(shí)候壓力比VCC大4V或者10V。如果你想在同一個(gè)系統(tǒng)中獲得VC電壓,你需要一個(gè)特殊的升壓電路。
上面提到的4 V、10 V是常用 mos管的導(dǎo)通電壓,當(dāng)然在設(shè)計(jì)上要有一定的余量。隨著電壓的升高,導(dǎo)通速率的增加,導(dǎo)通電阻也會(huì)減小。同樣,目前 mos管使用的導(dǎo)通電壓較低,但在12 V汽車電子系統(tǒng)中,一般4 V導(dǎo)通已經(jīng)足夠。
mos管最突出的特點(diǎn)就是開關(guān)特性好,因此廣泛用于需要電子開關(guān)的電路中,一般情況下,例如開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng),也有燈光調(diào)節(jié)。
當(dāng)用mos管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路時(shí),有哪些問題需要注意就講到這了,想要了解更多mos管、二三極管等半導(dǎo)體的應(yīng)用、選型知識(shí)介紹,可做收藏點(diǎn)擊咨詢服務(wù)詳詢,為您帶來更多的電子元器件行業(yè)資訊。