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新聞資訊
電路中為什么需要用到光耦器件

電路中為什么需要用到光耦器件

電氣隔離的要求。A與B電路之間,要進行信號的傳輸,但兩電路之間由于供電級別過于懸殊,一路為數(shù)百伏,另一路為僅為幾伏;兩種差異巨大的供電系統(tǒng),無法將電源共用。
光電隔離的作用

光電隔離的作用

將發(fā)光元件和受光元件組合在一起,通過電-光-電這種轉(zhuǎn)換,利用“光”這一環(huán)節(jié)完成隔離功能,使輸入和輸出在電氣上是完全隔離的。根據(jù)受光元件的不同可分為晶體管輸出型和晶閘管輸出型兩類。
場效應(yīng)管的基本放大電路

場效應(yīng)管的基本放大電路

場效應(yīng)管和半導(dǎo)體三極管一樣,場效應(yīng)管的電路也有三種接法即共源極電路、共漏極電路和共柵極電路。
場效應(yīng)管的特性

場效應(yīng)管的特性

晶體管是電流控制器件,作放大器件用時,發(fā)射結(jié)必須正偏。場效應(yīng)管是電壓控制器件,N溝道結(jié)型場效應(yīng)管工作時G、S間必須加反向偏置電壓。
線性光耦與非線性光耦的區(qū)別

線性光耦與非線性光耦的區(qū)別

開關(guān)電源中常用的光耦是線性光耦。如果使用非線性光耦,有可能使振蕩波形變壞,嚴(yán)重時出現(xiàn)寄生振蕩,使數(shù)千赫的振蕩頻率被數(shù)十到數(shù)百赫的低頻振蕩依次為號調(diào)制。
可控硅擊穿原因分析

可控硅擊穿原因分析

其實過流擊穿與過熱擊穿是一回事。過流擊穿就是電流在通過可控硅芯片時在芯片內(nèi)部產(chǎn)生熱效應(yīng),使芯片溫度升高,當(dāng)芯片溫度達到175℃時芯片就會失效且不能恢復(fù)。
可控硅XB5560S參數(shù)詳解手冊

可控硅XB5560S參數(shù)詳解手冊

可控硅XB5560S可應(yīng)用于直流電機控制、功率轉(zhuǎn)換器、交流電源控制、照明、固態(tài)繼電器等。
可控硅XB7560S參數(shù)詳解手冊

可控硅XB7560S參數(shù)詳解手冊

可控硅XB7560S可應(yīng)用于 直流電機控制、功率轉(zhuǎn)換器、交流電源控制、照明、固態(tài)繼電器等。
可控硅XB4060S參數(shù)詳解手冊

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可控硅XB4060S可應(yīng)用于直流電機控制、功率轉(zhuǎn)換器、交流電源控制、照明、固態(tài)繼電器等 。

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