MOS管一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。這里我們以增強(qiáng)型MOS為例分析。

MOS管由漏極、源極和柵極組成，還分為N溝和P溝兩種MOS管。首先我們將漏極接到電源正極，源極接到電源負(fù)極。對(duì)mos管而言，在柵極無(wú)電壓情況下，源極與漏極之間是兩個(gè)背對(duì)背二極管，而不會(huì)有電流通過(guò)，此時(shí)的mos管處于截止?fàn)顟B(tài)。

如上圖所示，柵極加電壓時(shí)，當(dāng)電壓小于閾值 VGS (th)時(shí)，柵極與基片 P之間會(huì)因?yàn)殡妶?chǎng)的作用，使 P型半導(dǎo)體的源極和漏極上的負(fù)電子受到吸引而涌向柵極，而因?yàn)檠趸さ淖韪?，將電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的半導(dǎo)體中。

如果柵極電壓越高，電子濃度就會(huì)越高。當(dāng)VGS (th)超過(guò)一個(gè)閾值，N型半導(dǎo)體將在源極和漏極之間形成一個(gè)電子通道。這段時(shí)間內(nèi)，由于漏極上加了正電壓，會(huì)形成漏極至源極的電流， MOS管導(dǎo)通。

還可以把兩個(gè)N型半導(dǎo)體間的一條溝槽想象成一條河流，柵極電壓的建立相當(dāng)于在兩者之間架起一座橋梁，其大小取決于柵壓的大小。所以 MOS管才是控制電壓的晶體管。把 MOS管想像為一個(gè)閥門(mén)，它的柵極就象一個(gè)控制水流是否能通過(guò)的開(kāi)關(guān)。